Intels Fortschritte in der EUV-Technik - 2/5
02.08.2004 by holger
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Wo liegt jedoch das eigentliche Problem der Lithographie-Technik?
Die nachfolgende Grafik zeigt eine Gegenüberstellung von „Feature Size“, also den resultierenden Strukturen auf dem Silizium und der Lithographie-Wellenlänge („Lithography Wavelength“).

Die Wellenläge des zur Belichtung verwendeten Lichtes im Verhältnis zur erzeugten Strukturgröße

Bereits 1997, dem Schnittpunkt beider Kurven, unterschritten demnach die Strukturen auf dem Silizium die Wellenlänge des Lichts, mit dem diese hergestellt wurden! Mit der EUV-Lithographie wird es voraussichtlich 2009 erneut – wie bereits vor 1997 – möglich sein, mit Wellenlängen zu arbeiten, die kleiner sind, als die erzeugten Strukturen auf dem Silizium.

Mit der EUV-Lithographie erfolgt bei der technischen Umsetzung ein tief greifender Paradigmenwechsel: Aufgrund der ultrakurzen Wellenlänge (13,5nm) würde das Licht von jeglichem Material vollständig absorbiert werden. Demnach ist eine konventionelle Belichtung DURCH die Maske auf den Wafer nicht mehr möglich.

Heutige Belichtungsverfahren durchleuchten die Maske sowie Linsen

Weiter: 3. Die Rolle der Reflexion

1. Durchbruch in der Lithographie-Technik
2. Die Problemstellungen der EUV-Lithographie
3. Die Rolle der Reflexion
4. Stand der Dinge
5. Ausblick in die Zukunft

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