Intels Fortschritte in der EUV-Technik - 3/5
02.08.2004 by holger
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Um das Image von der Maske auf den Waver zu projizieren, sind nicht nur die Optiken, sondern auch die Masken reflektierend, zudem findet die Produktion im Vakuum statt, da die Umgebungsluft zu viel des kurzwelligen Lichts absorbieren würde. Anhand der nachfolgenden Grafik ist der Weg des Lichtes im EUV Exposure Tool ersichtlich. Ausgehend von der EUV-Lichtquelle wird das Licht gebündelt auf die reflektierende Maske und schließlich auf den Wafer projiziert. Die Anforderungen an die Abbildungsgenauigkeit sind bei diesem Verfahren unglaublich hoch. So darf sich die Maske, die sich infolge der Bestrahlung erhitzt, gerade einmal um 1,5 nm bei einer Erwärmung von 10 °C ausdehnen. Ein weiteres, noch weitgehend ungelöstes Problem betrifft die EUV-Lichtquelle selbst. Aufgrund der Reflektionsverluste der eingesetzten Spiegel – es werden lediglich bis zu 70 % des Lichts reflektiert – müsste die Lichtleistung rund 100 Watt betragen, um das Licht von der Maske auf den Wafer zur projizieren. Doch momentan erreicht die Lichtquelle, bei der es sich gegenwärtig um eine Plasmalichtquelle handelt, höchstens 5 W an Leistung.

EUV-Belichtung arbeitet hingegen auschließlich mit Reflexion

In Natura sieht Intels Micro Exposure Tool (MET) so aus:

Intels Micro Exposure Tool (MET)

Weiter: 4. Stand der Dinge

1. Durchbruch in der Lithographie-Technik
2. Die Problemstellungen der EUV-Lithographie
3. Die Rolle der Reflexion
4. Stand der Dinge
5. Ausblick in die Zukunft

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